CHAC-3000はSi Waferの表面のHaze Patternを測定する装置です。
単結晶シリコンインゴットやSi Waferを成長させる過程でCOP(Crystal Original Parts), FPD(Flow Pattern Defect), OiSF(Oxygen induced Stacking Fault), BMD(Bulk Micro Defect) などの結晶欠陥は半導体の収率及び品質に至大な影響を及ぼします。
このような単結晶シリコンウェハの欠陥領域を識別する方法の一つとしてCu-hazeを使う方法があります。
単結晶シリコンウェハに銅（Cu）で意図的に汚染させたあと、熱処理の条件によって銅（Cu）がウェハ内部及び表面にどのように分布されているかを確認して結晶欠陥を判別し測定します。
CHAC-3000(Cu-haze auto counter)は前処理されたシリコンウェハサンプル（Cu汚染及び熱処理など）を搭載し検出する装置です。
表面のCu-haze欠陥を検知し欠陥情報を提供します。