ECIS-3000はシリコンウェハのEdge欠陥及びシリコンウェハ表面のHazeパターンを検出及び測定する装置です。単結晶シリコンインゴットやSi Waferを成長させる過程でCOP, FPD(Flow Pattern Defect)、酸素誘導などの結晶欠陥発生OiSF(Stacking Fault)、BMD(Bulk Micro Defect)などは半導体の収率と品質に至大な影響を及びします。パーティクル、スクラッチ、チップ、クラックなどのウェハの欠陥は収率損失の主要な原因とされており、この工程は信頼性が高く精密なマシーンビジョンシステムを使用しなければなりません。このような単結晶シリコンウェハの欠陥領域を識別する方法の一つとしてCu-hazeを使う方法があります。単結晶シリコンウェハに銅（Cu）で意図的に汚染させたあと、熱処理の条件によって銅（Cu）が上ｌは内部及び表面にどように分布しているかを確認し、結晶欠陥を判別して測定します。ECIS-3000は前処理されたシリコンウェハサンプル（Cuなど）を搭載する装置です。
表面のCu-haze欠陥を感知し、欠陥による情報を提供します。ECIS_3000は3000mmシリコンウェハだけでなく200mmシリコンウェハも簡単なマニュアル操作で検査することができます。