EDIS-3000はシリコンウェハのEdge欠陥とシリコンウェハ表面のCOP(Crystal Originated Pits)を検出及び測定する装置です。
単結晶シリコンインゴットやSi Waferを成長させる過程でCOP(Crystal Original Parts), FPD(Flow Pattern Defect), OiSF(Oxygen induced Stacking Fault), BMD(Bulk Micro Defect) などの結晶欠陥は半導体の収率及び品質に至大な影響を及ぼします。
収率と品質。Particle, Scratch, Chip, Crackのようなウェハの欠陥は収率の損失の主たる原因であり、この工程は信頼性が高く精密なマシーンビジョンシステムを使用しなければなりません。
このような単結晶シリコンウェハの欠陥領域を識別するためにDSOD(Direct Surface Oxide Defect)という測定システムが用いられます。
COPはゲート酸化物の無欠性特性を低下させる欠陥です。
ウェハの温度を1100°C以下に冷却すればがアクセス空孔が集まり結晶格子に50~100nmの大きさを形成します。DSOD分析法を通してCOPの数と大きさを素早く正確に検知することができます。
EDIS-3000ha簡単なマニュアル操作で300mmシリコンウェハだけでなく200mmシリコンウェハの表面COP欠陥を検出することができます。