CHAC-3000是测定SiWafer表面HazePattern的设备。
在单晶硅锭或SiWafer生长过程中，COP（CrystalOriginalParts）、FPD（Flow Pattern Defect）、OiSF（Oxygeninduced Stacking Fault）、BMD（Bulk Micro Defect）等晶体缺陷对半导体的产率和质量有很大影响。
鉴定这些单晶硅晶圆缺陷区域的方法之一是Cu-haze法。
将铜（Cu）故意污染到单晶硅晶圆上后，根据热处理条件检查铜（Cu）在晶圆内部或表面是如何分布的，从而判别结晶缺陷并进行测定。
CHAC-3000（Cu-hazeautocounter）是一种装载预处理硅晶片样品（如Cu污染和热处理）进行检测的设备。
检测表面Cu-haze缺陷并提供缺陷信息。