"EDIS-3000是检测和测定硅晶片Edge缺陷和硅晶片表面COP(Crystal Originated Pits)的设备。
在单晶硅锭或Si晶片生长过程中，COP、FPD（Flow Pattern Defect）、OiSF（Oxygeninduced Stacking Fault）、BMD（Bulk Micro Defect）等晶体缺陷对半导体影响很大。
收率和质量，晶圆中的缺陷，如Particle、Scratch、Chip、Crack等是造成产量损失的主要原因，该工艺必须采用可靠性高、精密的机器视觉系统。
识别这些单晶硅晶圆缺陷区域的方法是DSOD(Direct Surface Oxide Defect)测量系统。
COP是降低栅极氧化物完整性特性的缺陷。
当晶圆温度冷却至1100℃以下时，接入孔聚集，在晶格上形成50~100nm的尺寸。 DSOD分析法可以快速、准确地检测COP的数量和大小。
EDIS-3000通过简单的手动操作，不仅可以检测出300mm硅片，还可以检测出200mm硅片表面的COP缺陷。