ECIS-3000是检测和测量硅晶片边缘缺陷和硅晶片表面雾度图案的设备。 在单晶硅锭或SiWafer生长过程中，COP、FPD（Flow Pattern Defect）、氧诱导等晶体缺陷的发生，如OiSF（Stacking Fault）、BMD（Bulk Micro Defect）等对半导体的产率和质量有很大影响。 晶圆的缺陷如颗粒、划痕、芯片、裂纹等是造成产率损失的主要原因，该工艺必须采用可靠性高、精密的机器视觉系统。 鉴别这些单晶硅晶圆缺陷区域的方法是Cu-haze法。 将铜（Cu）故意污染到单晶硅晶圆上后，根据热处理条件检查铜（Cu）在晶圆内部或表面是如何分布的，从而判别结晶缺陷并进行测定。 ECIS-3000是装载经过前处理的硅晶片样品（如Cu）的设备。
检测表面Cu-haze缺陷并提供缺陷信息。 ECIS-3000不仅可以检测300mm硅片，还可以通过简单的手动操作检测200mm硅片。